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| 文档 |
Multiple Devices 14/Mar/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,500 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 200mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 300V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 750mV @ 3mA, 30mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 40 @ 30mA, 10V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| 供应商器件封装 | TO-226 |
| 包装材料 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 0.2 |
| 最小直流电流增益 | 25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| 封装 | Bulk |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 300 |
| 供应商封装形式 | TO-226 |
| 最大集电极发射极电压 | 300 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 200mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 750mV @ 3mA, 30mA |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 300V |
| 供应商设备封装 | TO-226 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 40 @ 30mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 0.2 A |
| 集电极 - 基极电压 | 300 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 300 V |
| 发射极 - 基极电压 | 7 V |
| 功率耗散 | 1 W |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-226 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 25 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | NPN |
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